ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。
ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)igbt模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)自身外，ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。
因此，在ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中僅僅只能作為一個(gè)參考值使用。
ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)的開關(guān)特性主要取決于ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻
絕緣柵雙極晶體管ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40kHz)的特點(diǎn)，是目前發(fā)展zui為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積、率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS及逆變焊機(jī)當(dāng)中。ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)是其應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。
從減小損耗角度講，門極驅(qū)動(dòng)電壓脈沖的上升沿和下降沿要盡量陡峭，前沿很陡的門極電壓使ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)快速開通，達(dá)到飽和的時(shí)間很短，因此可以降低開通損耗，同理，在ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)關(guān)斷時(shí)，陡峭的下降沿可以縮短關(guān)斷時(shí)間，從而減小了關(guān)斷損耗，發(fā)熱量降低。但在實(shí)際使用中，過快的開通和關(guān)斷在大電感負(fù)載情況下反而是不利的。因?yàn)樵谶@種情況下，ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)過快的開通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生頻率很高、幅值很大、脈寬很窄的尖峰電壓Ldi/dt，并且這種尖峰很難被吸收掉。此電壓有可能會(huì)造成ST英飛凌IGBT驅(qū)動(dòng)或其他元器件被過壓擊穿而損壞。所以在選擇驅(qū)動(dòng)波形的上升和下降速度時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路中元件的耐壓能力及du/dt吸收電路性能綜合考慮。
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更新時(shí)間：2017-07-27 
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