北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N

日本Mitsubishi三菱IGBT功率模塊CM1200E4C-34N

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N

三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N技術(shù)參數(shù)：vces=1700v ；IC=1200A

變頻器IGBT模塊CM1200E4C-34N

用中的注意事項
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：
在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸; 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極zui大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

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• 三菱IGBT模塊，1單元IGBT,2半橋IGBT
• 三菱IPM智能功率模塊
• 三菱快恢復(fù)二極管
• 三菱可控硅
• 三菱整流橋

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CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H 
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF 
CM200DU-12H CM200DUS-12F 
CM600DU-5F
CM300DJB-060 CM300DY-12H 
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
 CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF 
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F CM600DY-12NF 
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F 
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E 
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H 
CM400DU-12H CM400DY1-12E CM800DU-12H

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CM300E3Y-24E CM300E3U-24E
CM50DY-28H CM75DY-28H CM75DY-34A 
CM200DY-28H CM200DY-34A
CM200DU-34KA CM900DU-24NF CM1400DU-24NF CM300DY-28H CM300DY-34A
CM400DY-34A CM400DY-34H CM400DU-34KA 
CM400DY-50H CM400DY-66H
CM600DY-34H CM800E3UA-24F CM800E2UA-24F CM800DZ-34H CM800E2Z-66H
CM800E6C-66H CM800E2C-66H CM1200E4C-34N CM1000DU-34NF CM600E2Y-34H
CM200DY-24H 

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　　● 應(yīng)用。需要根據(jù)一些特殊應(yīng)用調(diào)整產(chǎn)品。例如電動汽車IGBT與一般工業(yè)用的IGBT在技術(shù)工藝性能上的主要區(qū)別在生產(chǎn)工序，因為是車載產(chǎn)品，需要實現(xiàn)超高品質(zhì)車載級模塊。在IGBT加工工序的開始，每個生產(chǎn)工序都需要管理，對生產(chǎn)過程進(jìn)行精細(xì)控制，產(chǎn)品出貨時要有檔案管理。如果有一個產(chǎn)品出問題，馬上可以查到數(shù)據(jù)。目前，日系混合動力車基本上使用三菱電機的模塊。

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1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A
1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A
SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A
SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A
SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A
SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A
SKIIP1513GB172-3DUL V3   1700V----500A
SKIIP603GD172-3DUW V3   1700V----600A
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IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應(yīng)用。與此同時，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。

1、低功率IGBT

IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產(chǎn)品的應(yīng)用。

2、U-IGBT

U（溝槽結(jié)構(gòu)）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進(jìn)一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進(jìn)步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸zui少的產(chǎn)品。現(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動、表面貼裝的要求。

3、NPT-IGBT

NPT（非傳統(tǒng)型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延，可降低生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無鎖定效應(yīng)，在設(shè)計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性zui高。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。

4、SDB--IGBT

鑒于目前廠家對IGBT的開發(fā)非常重視，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線上制作第四代高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品，特點為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大系統(tǒng)。

5、超快速IGBT

整流器IR公司的研發(fā)重點在于減少IGBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速IGBT可zui大限度地減少拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產(chǎn)品專為電機控制而設(shè)計，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。

6、IGBT/FRD

IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實現(xiàn)更均勻的溫度，進(jìn)步整體可靠性。

7、IGBT功率模塊

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進(jìn)步系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。

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京誠宏泰科技銷售英飛凌IGBT模塊

產(chǎn)品型號 參數(shù)說明 封裝形式
FF200R06KE3 200A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V 原裝
FF300R06KE3 300A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V 原裝
FF400R06KE3 400A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V 原裝
FF200R06ME3 200A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V，平板螺栓型 原裝
FF300R06ME3 300A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V，平板螺栓型 原裝
FF400R06ME3 400A，600V@Tc=80℃，IGBT3，飽和壓降1.45V，平板螺栓型 原裝
FF50R12RT4 50A,1200V,IGBT4,螺栓型 原裝
FF75R12RT4 75A,1200V,IGBT4,螺栓型 原裝
FF100R12RT4 100A,1200V,IGBT4,鏍栓型 原裝
FF150R12RT4 150A,1200V,IGBT4,鏍栓型 原裝
FF1000R17IE4D_B2 
FF650R17IE4D_B2 
FF450R17ME3 
FF225R17ME4 
FF450R12ME3 
FF300R12ME3
FF225R12ME4 
FF600R06ME3 
FF200R17KE4 200A,1700V 原裝
FF300R17KE4 300A,1700V 原裝
FF150R17KE4 150A,1700V 原裝
FF600R12ME4 600V,1200V 原裝

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京誠宏泰科技銷售富士IGBT模塊

1MBI75L-060、1MBI100L-060、1MBI150L-060、
1MBI300F-060、1MBI400F-060、1MBI600LN-060、1MBI600NN-060、1MBI200L-060、1MBI300L-060、1MBI400L-060、1MBI600LP-060、1MBI600NP-060、1MBI150NH-060、1MBI200L-120、1MBI200F-120、1MBI300L-120、1MBI300S-120、1MBI300NN-120、1MBI200S-120B、1MBI200N-120、1MBI300S-120B、1MBI300N-120、1MBI300JN-120、1MBI300JN-140、1MBI300SA-120、1MBI400N-120、1MBI400JN-120、1MBI400JN-140、1MBI400SX-140、1MBI600LP-120、1MBI600PX-140、1MBI400L-120、1MBI400S-120、1MBI400NN-120、1MBI400NP-120、1MBI600LN-120、1MBI600PX-120

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京誠宏泰科技銷售三菱IGBT模塊

CM50DY-12H CM75DY-12H 
CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H 
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF 
CM200DU-12H CM200DUS-12F 
CM300DJB-060 CM300DY-12H 
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
 CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF 
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F CM600DY-12NF 
CM800DU-12H   CM600DU-5F
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F 
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E 
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H 
CM400DU-12H CM400DY1-12E 

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6SY7000-0AA31 6SY7000-0AB31 6SY7000-0AC31
6SY7000-0AA32 6SY7000-0AB32 6SY7000-0AC32
6SY7000-0AA33 6SY7000-0AB33 6SY7000-0AC33
6SY7000-0AA34 6SY7000-0AB34 6SY7000-0AC34
6SY7000-0AA35 6SY7000-0AB35 6SY7000-0AC35
6SY7000-0AA36 6SY7000-0AB36 6SY7000-0AC36
6SY7000-0AA37 6SY7000-0AB37 6SY7000-0AC37
6SY7000-0AA38 6SY7000-0AB38 6SY7000-0AC38
6SY7000-0AA39 6SY7000-0AB39 6SY7000-0AC39
6SY7000-0AA40 6SY7000-0AB40 6SY7000-0AC40
6SY7000-0AA41 6SY7000-0AB41 6SY7000-0AC41
6SY7000-0AA42 6SY7000-0AB42 6SY7000-0AC42
6SY7000-0AA43 6SY7000-0AB43 6SY7000-0AC43
6SY7000-0AA44 6SY7000-0AB44 6SY7000-0AC44
6SY7000-0AA45 6SY7000-0AB45 6SY7000-0AC45
6SY7000-0AA46 6SY7000-0AB46 6SY7000-0AC46
6SY7000-0AA47 6SY7000-0AB47 6SY7000-0AC47
6SY7000-0AA48 6SY7000-0AB48 6SY7000-0AC48
6SY7000-0AA49 6SY7000-0AB49 6SY7000-0AC49
6SY7000-0AA50 6SY7000-0AB50 6SY7000-0AC50

三菱功率模塊已經(jīng)廣泛用于整流和逆變電路。IGBT是電源或電機驅(qū)動用變頻電路的開關(guān)元件。為了真正滿足市場對裝置噪音低、效率高、體積小、重量輕、精度高、功能強、容量大的要求，三菱電機積*力于新型器件的研究、開發(fā)，為人類的節(jié)能和環(huán)保不斷努力。目前已開發(fā)出的IGBT模塊，IPM，DIPIPMTM，MOSFET，HVIGBT等功率模塊的主要應(yīng)用于：通用變頻器，伺服驅(qū)動器，電源裝置，電梯，電焊機，逆變焊機，風(fēng)力發(fā)電，太陽能發(fā)電，感應(yīng)加熱器，電動叉車，鐵道交通、顯示裝置，馬達(dá)控制，焊接機器人，機車主變流器和輔助變流器等

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BSM200GA120DN2 200A/1200V/1U 
BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U 
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U 
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U 
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U 
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U 
BSM400GA120DLC 400A/1200V/1U  
型號2U/600/1200/1700V ） 技術(shù)指標(biāo) 型號(2U  1200V/1700V) 技術(shù)指標(biāo) 
BSM50GB60DLC 50A/600V/2U 
BSM75GB170DN2 75A/1700V/2U 
BSM75GB60DLC 75A/600V/2U 
BSM100GB170DN2 100A/1700V/2U 
BSM100GB60DLC 100A/600V/2U 
BSM150GB170DN2 150A/1700V/2U 
BSM150GB60DLC 150A/600V/2U
BSM200GB170DLC 200A/1700V/2U 
BSM200GB60DLC 200A/600V/2U 
BSM25GAL120DN2 25A/1200V/2U 
BSM300GB60DLC 300A/600V/2U 
BSM50GAL120DN2 50A/1200V/2U 
BSM25GB120DN2 25A/1200V/2U 
BSM75GAL120DN2 75A/1200V/2U 
BSM35GB120DN2 35A/1200V/2U 
BSM100GAL120DN2 100A/1200V/2U 
BSM50GB120DN2 50A/1200V/2U 
BSM150GAL120DN2 150A/1200V/2U 

北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N

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C1PHB28G1628A/1600V

single-phase half controlled rectifying bridge + freewheeling diode

C1PHB15G16    15A/1600V single-phase half controlled bridge

C1PHB36G16136A/1600V dittoModels(half controlled)

Technical specification Wholesale price

Models(half controlled)

Technical specification

Wholesale price

CTD(CDT)27GK-12(16)27A/1200V(1600V)/2U